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CMD3090L:與“深”夜共舞

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CMD3090L:與“深”夜共舞

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夜幕降臨,華燈璀璨,摩天高樓宛如身披炫彩鎧甲,遙相呼應。這是深圳這座科技之都的底色與魅力。相信每一個來過深圳的人都會被這光彩奪目,目不暇接。LED燈光控制的靈活使用,使深圳的夜色煥發(fā)活力。而這絢麗背后是諸多像廣東場效應半導體有限公司(Cmos)一樣的半導體研發(fā)與制造單位的持續(xù)奮進。


Cmos長期堅持自主創(chuàng)新,品質至上,服務并進之舉措,多款產品經受住了市場檢驗。產品在客戶使用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,相同應用環(huán)境下,器件性能可比肩國外大廠。


在LED燈控制領域,Cmos更是推陳出新,推出了以CMD3090L/CMP90N68K為代表兩款不同輸出功率的LED燈控制MOSFET產品,使得深圳夜色更加炫麗異彩。



封裝形式


卓越的電氣特性                                    

CMD3090L主要電氣特性包括:



耐壓與電流能力:CMD3090LMOSFE的耐壓(BVDSS)為30V,在25℃條件下,其最大連續(xù)漏極電流(ID)可達90A。這使得MOSFET擁有大電流和同應用環(huán)境中比較高的功率輸出能力,可更好匹配LED燈應用場景。

低導通電阻:在柵極電壓(VGS)為10V時的導通電阻(RDS(on))不超過8.5mΩ。低導通電阻不僅降低了器件在動態(tài)狀態(tài)下的自身功耗,還提高了整體電路的能效,使得控制模塊的換效率更高,而且在LED大電流環(huán)境中能有效降低自身溫熱,有效保證了網絡的穩(wěn)定性。



熱管理性能:CMD3090L MOSFET的熱阻值是指,器件在電路網絡中芯片管心到塑封外殼的溫度隨輸出功率的變化情況,結到管殼的熱阻值僅有0.75℃/W。所以在LED大電流、高功率的應用環(huán)境中選型時控制這項參數非常有意義。是保障MOSFET安全穩(wěn)定運行的又一指標。

功耗與開關性能:CMD3090LMOSFET 在正常環(huán)境中使用最大功率85W,而且Td(on)=8nS ,Td(off)=20nS在內耗非常低的同時和保證了高頻開關速度,穩(wěn)定可靠的實現(xiàn)了LED高頻調光。

低電壓控制:CMD3090L MOSFET閾值電壓(VGS(th))不超過2V,使得驅動電路設計相對簡單,單片機就可以勝任。低驅動電壓,使得控制模塊集成性更小而輕。此外,IDM=360A,意味著該MOS管可以及時在串接較長燈帶的條件下,開、關瞬間可承受的主高能量脈沖,進一步提升了其在苛刻應用環(huán)境中的耐用性和可靠性。



以上是一款CMOS CMD3090L MOSFET低壓產品,用在LED燈控制網路中,表現(xiàn)出優(yōu)異性能,當然,CMD3090L MOSFET的用途不僅限于此,相信還有更廣闊的應用環(huán)境,等待各位開發(fā)。還有一款較大過載能力的CMP90N68K 70V的產品,同樣在LED控制領域性能卓著,很受市場認可,如需詳細了解該料參數,請注冊和登錄廣東場效應半導體有限公司官網:www.etmyw.com