CMSL025N12是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的SGT工藝技術和設計,提供非常優(yōu)秀的RDS(ON),廣泛應用于負載開關、電池保護電路、UPS電源、能量逆變器電源、電機驅(qū)動等。是一款高效、可靠的優(yōu)秀MOS管。
CMD30N10是采用Cmos溝槽工藝封測的一款N溝道增強型場效應晶體管。特點是,具有更低的閘間電容,擁有更優(yōu)秀的開關特性,滿足超高頻率開關切換電路的應用。
CMSC1653是一款采用場效應半導體先進溝槽工藝開發(fā)的N溝道型MOSFET產(chǎn)品,其最大特點是具有卓越的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。
CMP073N15集合了低導通電阻、高耐壓、低開關損耗 等多項特點,成為各種高效能電源系統(tǒng)和高功率應用的理想選擇。
逆變設備在電力工程和電子設備中有著廣泛的應用基礎,從大至千伏級別的超高壓大型電力工程設備,到小至百伏小型開關電源中都會用到逆變設備或者逆變系統(tǒng)。