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CMP130N85A是采用Cmos成熟的柵極多層分割槽工藝制造的一款金屬氧化物功率半導(dǎo)體分離器件。

CMD8447B采用Cmos先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）與低門電荷，具有低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗，它可以高效用于多種應(yīng)用電路中，包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED控制器等。

CMSA012N04L是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），采用DFN-8 5x6封裝，能夠減小PCB板尺寸和提高空間利用率，是緊湊型DC-DC電源、高頻切換電源、高能效電源、服務(wù)器和通用應(yīng)用的同步整流設(shè)備的優(yōu)秀MOS。

CMD079N10是采用Cmos半導(dǎo)體成熟工藝開發(fā)的一款綜合性能優(yōu)異的MOSFET,用在電源產(chǎn)品中的同步整流模塊效果十分理想。

CMD5941采用Cmos先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）與低門電荷，具有低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗，它可以高效用于多種應(yīng)用電路中，包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。